Контактный слой, состоящий из двух примесных полупроводников p- и n-типа, называется p-n-переходом. Для его получения кристалл полупроводника с примесью p-типа нагревают до температуры около 1000 К, направляют на поверхность кристалла пар примеси n-типа, который диффундирует. На поверхности кристалла образуется область, которая является полупроводником n-типа. Снаружи его покрывают защитной окисной пленкой. В монокристалле образуются два контактирующих полупроводника p- и n-типа.
