Примесные полупроводники содержат атомы посторонних элементов, встроенные в кристаллическую решетку. Примеси специально вводят в полупроводник для изменения его электрофизических свойств (этот процесс называется легированием). В примесных полупроводниках кониентрации электронов и дырок могут отличаться на много порядков, Для четырех валентных элементарных полупроводников, таких 'как германий и кремний, донорными примесями являются атомы пятивалентных элементов, таких как фосфор Р, мышьяк As, сурьма Sb, акцепторными -атомы трехвалентных элементов: бор В индий In, галлий Ga, алюминий AI.
Встраиваясь в решетку, атомы пяти валентных .элементов образуют четыре связи с ближайшими соседями, пятый электрон оказывается лишним.
Он не участвует в образовании химической связи и слабо связан с атомом примеси, легко отрывается от нею и становится свободным.
При введении трех валентного атома у него не хватает одного электрона для образования четырех связей. Недостающий электрон может быть захвачен у соседнего атома, у которого образуется дырка.
Встраиваясь в решетку, атомы пяти валентных .элементов образуют четыре связи с ближайшими соседями, пятый электрон оказывается лишним.
Он не участвует в образовании химической связи и слабо связан с атомом примеси, легко отрывается от нею и становится свободным.
При введении трех валентного атома у него не хватает одного электрона для образования четырех связей. Недостающий электрон может быть захвачен у соседнего атома, у которого образуется дырка.